Транзисторы для аудио усилителей (Список6)

ПОСЛЕ 20.00 НЕ ЗВОНИТЬ !!!
Завершённые (Ждут действий) - тоже АКТУАЛЬНЫ !!!

Хорошая новость !!!! Начал отправлять радиодетали ( но есть нюансы - звоните)

оригинальные
НОВЫЕ(NEW) и ДЕМОНТАЖ (dismantling)

Мои радиодетали можно посмотреть ЗДЕСЬ или на другом моём ОСНОВНОМ ресурсе !!! Ищите это же объявление в другом месте !!! И нажмите там ВСЕ ОБЪЯВЛЕНИЯ АВТОРА ( если и там не найдёте, извините )
У МЕНЯ 3443 ОБЪЯВЛЕНИЯ !!! ДОБАВЛЯЕТСЯ КАЖДЫЙ ДЕНЬ !!! НЕТ ФИЗИЧЕСКИХ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ПЕРЕПИСКИ !!! ПРОШУ ПОДОЙТИ С ПОНИМАНИЕМ !!!

54a. 2SB1624 (B1624), MT-100(TO3P), Sanken electric, JAPAN, PNP, 60W, 110V, 6A, 100MHz, Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose), Darlington transistor
- 9 шт. P (hfe): 6500-20000 (dismantling original) по цене 360 руб./шт.
- 2 шт. Y (hfe): 15000-30000 (dismantling original) по цене 400 руб./шт.
54b. 2SD2493 (D2493), MT-100(TO3P), Sanken electric, JAPAN, NPN, 60W, 110V, 6A, 70MHz, Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose), Darlington transistor
- 2 шт. O (hfe): 5000-12000 (dismantling original) по цене 320 руб./шт.
- 6 шт. P (hfe): 6500-20000 (dismantling original) по цене 360 руб./шт.
- 3 шт. Y (hfe): 15000-30000 (dismantling original) по цене 400 руб./шт.

55a. 2SB1647 (B1647) Sanken electric, JAPAN, PNP, 130W, 150V, 15A, 45MHz, MT-100(TO3P), Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose), Darlington transistor
- 3 шт. O (hfe): 5000-12000 (dismantling original) JAPAN по цене 400 руб./шт.
- 42 шт. P (hfe): 6500-20000 (dismantling original) JAPAN по цене 430 руб./шт.
- 6 шт. Y (hfe): 15000-30000 (dismantling original) JAPAN по цене 460 руб./шт.
55b. 2SD2560 (D2560) Sanken electric, JAPAN, NPN, 130W, 150V, 15A, 70MHz, MT-100(TO3P), Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose), Darlington transistor,
- 3 шт. O (hfe): 5000-12000 (dismantling original) JAPAN по цене 400 руб./шт.
- 43 шт. P (hfe): 6500-20000 (dismantling original) JAPAN по цене 430 руб./шт.
- 6 шт. Y (hfe): 15000-30000 (dismantling original) JAPAN по цене 460 руб./шт.

56a. 2SJ114 (J114), Hitachi Semiconductor, JAPAN, 100W, 200V, 8A, Rds - 0.6 Ohm, TO-3P, Silicon P-Channel MOS FET, HIGH SPEED POWER SWITCHING, HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER
- 6 шт.(dismantling original) по цене 1100 руб./шт.
56b. 2SK400 (K400), Hitachi Semiconductor, JAPAN, 100W, 200V, 8A, Rds - 0.5 Ohm, TO-3P, Silicon N-Channel MOS FET, HIGH SPEED POWER SWITCHING, HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER
- 6 шт.(dismantling original) по цене 1100 руб./шт.

57a. 2SJ160 (J160), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon P-Channel MOS FET, 100W, 120V, 7A, Rds - 1.4 Ohm, TO3P
- 5 шт.(dismantling original) по цене 900 руб./шт.
57b. 2SK1056 (K1056), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon N-Channel MOS FET, 100W, 120V, 7A, Rds - 1.4 Ohm, TO3P
- 5 шт.(dismantling original) по цене 900 руб./шт.

58a. 2SJ161 (J161), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon P-Channel MOS FET, 100W, 140V, 7A, Rds - 1.4 Ohm, TO3P
- 5 шт.(dismantling original) по цене 1000 руб./шт.
58b. 2SK1057 (K1057), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon N-Channel MOS FET, 100W, 140V, 7A, Rds - 1.4 Ohm, TO3P
- 5 шт.(dismantling original) по цене 1000 руб./шт.

59a. 2SJ162 (J162), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon P-Channel MOS FET, 100W, 160V, 7A, Rds - 1.4 Ohm, TO3P
- 1 шт.(dismantling original) по цене 1100 руб./шт.
- 10 шт.(NEW original) по цене 1400 руб./шт.
59b. 2SK1058 (K1058), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon N-Channel MOS FET, 100W, 160V, 7A, Rds - 1.4 Ohm, TO3P
- 1 шт.(dismantling original) по цене 1100 руб./шт.
- 10 шт.(NEW original) по цене 1400 руб./шт.

60a. 2SJ200 Y(J200 Y), Toshiba Semiconductor, JAPAN, P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS), 150W, 200V, 12A, Rds - 0.2 Ohm, 2-21F1B, TO-3P
- 6 шт.(dismantling original) Toshiba JAPAN по цене 1600 руб./шт.
60b. 2SK1529 Y(K1529 Y), Toshiba Semiconductor, JAPAN, N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS), 150W, 200V, 12A, Rds - 0.2 Ohm, 2-21F1B, TO-3P
- 7 шт.(dismantling original) Toshiba JAPAN по цене 1600 руб./шт.

61a. 2SJ201 Y(J201 Y), Toshiba Semiconductor, JAPAN, P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS), 150W, 200V, 12A, Rds - 0.2 Ohm, 2-21F1B, TO-3PBL
- 5 шт.(dismantling original) Made In Japan по цене 1400 руб./шт.
61b. 2SK1530 Y(K1530 Y), Toshiba Semiconductor, JAPAN, N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS), 150W, 200V, 12A, Rds - 0.2 Ohm, 2-21F1B, TO-3PBL
- 5 шт.(dismantling original) Made In Japan по цене 1400 руб./шт.

62a. 2SJ217 (J217), Hitachi Semiconductor, JAPAN Silicon P-Channel MOS FET, 150W, 60V, 45A, Rds - 0.033 Ohm, TO3P
- 11 шт.(dismantling original) по цене 550 руб./шт.
62b. 2SK1297 (K1297), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon N-Channel MOS FET, 100W, 60V, 40A, Rds - 0.015 Ohm, TO3P
- 11 шт.(dismantling original) по цене 550 руб./шт.

63a. 2SJ554 (J554), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching, 100W, 60V, 45A, Rds - 0.028 Ohm, TO3P
- 9 шт.(dismantling original) по цене 500 руб./шт.
63b. 2SK2955 (K2955), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching, 100W, 60V, 45A, Rds - 0.010 Ohm, TO3P
- 9 шт.(dismantling original) по цене 500 руб./шт.

64a. 2SJ555 (J555), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching, 125W, 60V, 60A, Rds - 0.017 Ohm, TO3P
- 11 шт.(dismantling original) по цене 600 руб./шт.
64b. 2SK2586 (K2586), Hitachi Semiconductor, JAPAN, Silicon N-Channel MOS FET, 125W, 60V, 60A, Rds - 0.007 Ohm, TO3P
- 11 шт.(dismantling original) по цене 600 руб./шт.

65a. BDW94C, ST STMicroelectronics, PNP, 80W, 100V, 12A , 20MHz, (hfe):>15000, TO-220, COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
- 11 шт.(NEW original) по цене 270 руб./шт.
65b. BDW93C, ST STMicroelectronics, NPN, 80W, 100V, 12A, 20MHz, (hfe):>15000, TO-220, COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
- 11 шт.(NEW original) по цене 270 руб./шт.

66a. FP1016 (P1016), SANKEN, JAPAN, PNP, 160V, 8A, 65MHz,Darlington transistor, TO3P, оригинальный
- 20 шт.(dismantling original) по цене 300 руб./шт.
- 20 шт.(NEW original) по цене 400 руб./шт.
66b. FN1016 (N1016), SANKEN, JAPAN, NPN, 160V, 8A, 65MHz, Darlington transistor, TO3P, оригинальный
- 20 шт.(dismantling original) по цене 300 руб./шт.
- 20 шт.(NEW original) по цене 400 руб./шт.

67a. KTB778 O(2SB778 B778 O), KEC(Korea Electronics), PNP, 80W, 120V, 10A, 10MHz, TO3P, TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER)
- 10 шт. O (hfe): 80-160 (dismantling original) по 250 руб./шт.
67b. KTD998 O(2SD998 D998 O), KEC(Korea Electronics), NPN, 80W, 120V, 10A, 12MHz, TO3P, TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER)
- 10 шт. O (hfe): 80-160 (dismantling original) по 250 руб./шт.

p.s. Подбор пары - 100 руб. за подбор 1 пары

У меня ОГРОМНОЕ количество РАДИОДЕТАЛЕЙ ( можете выбрать другие) была СВОЯ ФИРМА по продаже радиодеталей с 1994 года !!! говорю со ЗНАНИЕМ ДЕЛА !!! КРАСНЫЙ ДИПЛОМ РАДИОИНЖЕНЕРА и 60 ЛЕТ за ПЛЕЧАМИ !!!

Самовывоз. Рядом с м. Ленинский проспект. Возможна МОЯ ЛИЧНАЯ ДОСТАВКА (до 5 кг) по Москве и в ближайшие города в пределах действия карты Москвича. В будни с 10-17 ТОЛЬКО РАДИОДЕТАЛЕЙ и ДРУГИХ ЗАПЧАСТЕЙ !!!!!
Ищите знакомых в Москве. Они свяжутся со мной, купят у меня и отправят Вам !!!